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摩爾定律越跑越遠,四大半導體商聯手追趕
日期:2013/01/30分類:科技|評論:0Comments點閱數:9,549

摩爾定律(Mooreslaw)預測,每隔18個月晶片上電晶體數量成長一倍**。這項定律成功預測半導體產業近五十年。不過,當晶片線寬(IC產業能製造的最小導線寬度)縮小到20nm以下,有人認為摩爾定律將無法繼續預測半導體產業,甚至有物理學家判摩爾定律將會完全失效
摩爾定律真的失去魔力了嗎?
摩爾定律的瓶頸–光源
摩爾定律為Intel創辦人GordonMoore1965年發表儘管他本人不認為這是一個定律,而是預測。Intel以這項定律為發展藍圖,持續以財務優勢和技術創新,把競爭者狠狠甩在後面。



1965GordonE.Moore的「摩爾定律」原稿。資料來源:Intel
但最近摩爾定律由於顯影(Lithography)技術障礙受到挑戰。這個技術障礙有點類似要學生在米粒上畫圖。要畫出一幅很小很小的圖,有三個要素:很小的米粒、更小的筆尖、跟穩定的墨水供應。
在半導體業中,米粒就是晶片,筆尖就是光波長,墨水就是光源強度。晶片(米粒)可以一直縮小,但目前的顯影技術障礙是指光無法兼具波長(筆尖)小且光源強度(墨水)穩定。目前已成功製造波長夠小的光源,但光源強度仍未達商業化的標準。而且提高光源強度(影響曝光速率)同時還必須考慮穩定度,畢竟筆寫到一半沒墨水頗麻煩的。
產業界計畫使用193nmArF)光源搭配浸潤式顯影(Immersionlithography)技術製造20nm晶片Intel今年著手製造14nm晶片,並計畫於2015年製造10nm片。然而,下一代顯影技術尚未成熟,14nm效能提升或許只有以往的一半。
比利時微電子中心(InteruniversityMicroelectronicsCentre)總裁LucvandenHove預估以193nm搭配浸潤式顯影製造14nm晶片,成本將會超過28nm技術的90以上。成本上升主因是曝光顯影技術,在極小線寬下,需要多次曝光顯影,且誤差率也會提高,造成時間與金錢成本大幅上升。

本文来源:https://www.2haoxitong.net/k/doc/d3f7b3896bd97f192379e994.html

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