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光刻显影的方法

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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请

（21）申请号CN200710094285.X（22）申请日2007.11.27
（71）申请人上海华虹NEC电子有限公司
地址201206上海市浦东新区川桥路1188号

（10）申请公布号CN101446765A
（43）申请公布日2009.06.03
（72）发明人陈华伦;罗啸;陈雄斌;熊涛;陈瑜（74）专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司
代理人丁纪铁
（51）Int.CI
G03F7/20;G03F7/40;G03F7/26;H01L21/027;
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
光刻显影的方法
（57）摘要

本发明公开了一种光刻显影的方法，包括

在曝光和硬烘，曝光后光刻胶图形的特征尺寸比目标值小；而硬烘时的提高硬烤温度，使得硬烘后的光刻胶图形间隙的特征尺寸控制在目标值范围内。本发明的方法有效避免显影时的光刻胶残

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/eb74701674eeaeaad1f34693daef5ef7bb0d121f.html