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电科《集成电路设计原理》试卷详细答案A卷

发布时间：2023-02-17 14:18:18   来源：文档文库   
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）室教（场考线间时订试考号学装名姓级班巢湖学院2011—2012学年度第二学期09级电科《集成电路原理》期末考试试卷(A卷命题人陈初侠统分人复核人题号一二三四总分得分得分评卷人一、填空题：（共30分）1.（1分）年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。2．（2分）摩尔定律是指。3.（3分）集成电路按工作原理来分可分为、、。4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、、、、和去胶。5.（4分）MOSFET可以分为、、、四种基本类型。6.（3分）影响MOSFET阈值电压的因素有：、以及。7.（2分）在CMOS反相器中，Vin，Vout分别作为PMOS和NMOS的和；作为PMOS的源极和体端，作为NMOS的源极和体端。8．（2分）CMOS逻辑电路的功耗可以分为和。9.（3分）右上图的传输门阵列中VDD5V,各管的阈值电压VT1V，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y1=V，Y2=V，Y3=V。VDDY1Y2Y310.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y1=；Y2=；Y3=。VDDCBVVDDADDAMP1MP2DYV1V2Y31AM1CBY2CBM2DM3M4BAMN2MN1得分评卷人二、简答题：（每小题5分，共20分）1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？
）室教（场考线间时订试考号学装名姓级班3.简述静态CMOS电路的优点。4.简述动态电路的优点和存在的问题。得分评卷人三、画图题：（共12分）1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系YABDCD的电路图，要求使用的MOS管最少。2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能YABC,画出其相应的电路图。得分评卷人四、分析设计题：（共38分）1.（12分）考虑标准0.13mCMOS工艺下NMOS管，宽长比为W/L=0.26m/0.13m，栅氧厚度为tox2.6nm，室温下电子迁移率n220cm2/Vs，阈值电压VT=0.3V,计算VGS1.0V、VDS0.3V和0.9V时ID的大小。已知：o8.851014F/cm，ox3.9。

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/fe41cdeaab8271fe910ef12d2af90242a895ab9f.html

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