大数值孔径 EUV 光刻需要更大尺寸光掩膜板吗？
目前，芯片行业的主流刻蚀技术为 193nm 浸没式光刻外加双重图形成型技
术（double patterning），然而随着特征尺寸的不断缩小，人们难以找到折射率
更高的浸入液。并且双重图形成型技术要求在同一层面上刻写两次之外，还需
要一个附加的腐蚀步骤，所以成本非常高。基于这两点，对 EUV（极紫外光刻）
的投入与期待也是大势所趋。
随着近几年 EUV 光刻机的试生产，关于是否需要更大尺寸光掩膜板的问题
随之而来，产业是否需要？
近日，荷兰光刻设备生产巨头 ASML 透露，该公司首次量产的 EUV 光刻机
有望提供 70 片晶圆/每小时的生产能力，机器型号为 NXE:3300B，在明年的某
个时候。显然，70 片晶圆/每小时的生产能力需要配备持续功率在 100W 以上
的光源，而目前的光源的持续功率只能达到 50W,光刻设备厂商说。如果
ASML 的说法得以实现，那么在不久的将来，我们就可以看到 EUV 光刻机和
其生产线出现在各大代工厂，但是若想进入主流的生产线，EUV 技术的
throughput 还有待提高。按 KLA-Tencor 公司高管的说法，EUV 光刻机的每小
时产出量必须能维持在 80 片晶圆，光刻机厂商才有可能从中获得稳定的收入。
根据 Rayleigh 定律，投影式光刻机的分辨率 R= k1r/NA，其中 r 是光刻波的
波长,k1 为设备系数，NA 为数值孔径；所以增加 NA 值是提高分辨率的有效途
径之一；半导体行业进入 10nm 工艺节点可选择的主要方式有 EUV 外加双重图
形成型技术或者选择更高的数值孔径（NA）的 EUV 曝光技术。如果选择增大
数值孔径的方法，就意味着增加 EUV 曝光工具的放大率，也就是缩小曝光区
本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/8c1474843d1ec5da50e2524de518964bcf84d2a1.html
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