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反应烧结制备Si3N4-SiC复合材料
反应烧结制备Si3N4-SiC复合材料
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第35卷第5期
2014年10月
DOI:10.13957/j.cnki.tcxb.2014.05.004
陶瓷蓍旅
Journal
ofCeramics
VOI.35
NO.5
Oct.2014
反应烧结制备Si3N4/SiC复合材料
赵林1,张玉军2,谢志鹏1,3,
汪长安
(1.景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西景德镇333403;2.山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室,
山东济南250061;3.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084)
摘要:以si粉为烧结助剂,采用反应烧结工艺制备出Si。N。/SiC复合材料。研究了si粉添加量、烧结温度对Si。N。/SiC复合材
料性能的影响,分别采用x射线衍射仪和材料试验机测试其物相组成和力学性能。实验结果表明:添力U40%的si粉,烧结温
度为1600℃时,烧结后Si。N。/SiC复合材料的弯曲强度和断裂韧性分别达至1]348
MPa和4.82
MPa・m”,主要是由于致密度的
提高、原位生成Si。N。颗粒的增多以及Si。N。颗粒在SiC基体材料中的弥散增韧。
关键词:反应烧结;Si,NJSiC复合材料;原位生成
中图分类号:TQl74.75
文献标志码:A
文章编号:1000—2278(2014)05—0474—04
Si3N4/SiC
Composites
Prepared
by
Reaction
Sintering
ZHAOLin
t,ZHANG
Yujun
2.XIEZhipengl…,WANG
Chang'an
113
(1.School
of
Materials
Science
and
Engineering,Jingdezhen
Ceramic
Institute,Jingdezhen
3
33403,Jiangxi,China;
2.Key
Laboratory
for
Liquid-Solid
Structural
Evolution
and
Processing
of
Materials(Ministry
of
Education),
Shandong
University,Jinan
250061,Shandong,China;3.State
Key
Laboratory
ofNew
Ceramic
and
Fine
Processing,Tsinghua
University,Beijing,1
00084,China)
Abstract:Si3N4/SiC
composites
were
prepared
with
Si
powder
and
sintering
time
test
on
as
a
sintering
aid
by
reaction
sintenng
method.The
influence
of
Si
addition
the
property
of
Si3N4/SiC
composites
was
researched.X—ray
diffractometer
and
material
testing
machine
were
used
to
phase
composition
and
mechanical
properties,respectively.The
results
show
that
flexural
strength
and
fracture
toughness
of
Si3N4/SiC
composites
could
reach
348
MPa
and
4.82
MPa‘m”when
Si
addition
and
sintering
time
were
40%and
1
600
oC.respectively.It
is
due
to
the
improving
of
density,the
increase
of
Si3N4
particles
by
in
situ
formation,and
the
dispersion
toughening
of
Si3N4
particles
in
SiC
matrix
material.
Key
words:reaction
sintering;Si3N4/SiC
composites;in
situ
formation
0引言
碳化硅陶瓷材料具有高硬度、高热导率和低热
膨胀以及抗氧化、抗热震、耐磨损、耐腐蚀等优良
性能,而被广泛用于高温热交换器、窑具材料、机
械密封件、航空发动机燃烧室以及高温气冷堆的炉
衬材料等领域n“。
碳化硅是碳原子和硅原子以化学键结合的四面
收稿日期:2014—05一11。
修订日期:2014-06-08。
基金项目:国家自然科学基金(编号:51202097,No.51102120);
江西省自然科学基金(编号:20132BAB216008);清华
大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放基金(编
体空间排列的结晶体,共价键很强,si—c键的离
子性仅占14%t5I。因此,碳化硅非常难烧结,如果
不添加烧结助剂,在无压固相烧结过程中,即使在
非常高的温度下,颗粒之间也只有微量的颈部长
大,而不发生体积收缩致密化m,。近年来,许多研
究工作者通过添加烧结助剂提高SiC的烧结性能。
周伟【7等研究了以A1。O。、Y:O。、A1。O。一Y。O。为烧结
助剂时,SiC液相烧结行为。结果表明,以Y。O。和
Received
date:20144)5-11.
Revised
date:2014-064)8.
O
Lin(19819,male,Ph-n,I
Correspondent
author:ZH
octuE
>
>
>
>
E-mail:linzhaocn@126.COITI
号:KFl202);景德镇市科学技术局科技计划项目(编
号:2012JGY—l一49);辽宁省镁资源与镁质材料工程
技术研究中心开放基金(编号:USTLKEC201410)。
通信联系人:赵林(1981一),男,博士,讲师。
万方数据
本文来源:
https://www.2haoxitong.net/k/doc/84e8e9746ad97f192279168884868762cbaebb00.html
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