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华东交通大学本科毕业设计论文格式要求-

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华东交通大学本科毕业设计(论文格式要求




本科毕业设计（论文）格式模板

本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到学院办公室领取纸质封面及资料袋后再装订







毕业设计（论文）诚信声明

本人郑重声明：所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。
如在文中涉及抄袭或剽窃行为，本人愿承担由此而造成的一切后果及责任。


本人签名____________

导师签名__________
年 月 日


华东交通大学毕业设计任务书
姓名

学号


毕业届别

专 业
毕业设计（论文）题目 指导教师

学 历

职 称

具体要求：





进度安排：





指导教师签字：
年 月 日 教研室意见：

教研室主任签字：
年 月 日 题目发出日期 附注：

设计（论
文）起止时间



华东交通大学毕业论文开题报告书
课题名称 课题来源 学生姓名 开题报告内容：

课题类型 学 号



导 师 专 业


方法及预期目的：

指导教师签名： 日期： 课题类型：（1）A—工程设计；B—技术开发；C—软件工程；D—理论研究；


（2）X—真实课题；Y—模拟课题；Z—虚拟课题 （1）、（2）均要填，如AY、BX等。
华东交通大学毕业设计(论文评阅书(1 姓名

学号

专业


毕业设计(论文题目

指导教师评语：





得分

导教师签字：

月 日

评阅人评语：





得分

阅人签字：
月 日



等级


华东交通大学毕业设计(论文评阅书(2 姓名

学号

专业


毕业设计(论文题目

答辩小组评语：



等级

组长签字：

月 日



答辩委员会意见： 等级



答辩委员会主任签字：
月 日（学院公章）



注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。
“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文成绩评定办法评定最后成绩）。


华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录
姓名 题目

答辩组成员（签字）：


学号

毕业届别

专业


答辩时间

答辩记录：





记录人（签字）：



年 月 日

答辩小组组长（签字）：
月 日

附注：


摘要 页眉：中文宋体，小五号，居中
中文摘要：独占一页；论文题目用小2号黑体字、居中
III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光 LED外延片的MOCVD生长和性质研究
"摘要"用3号黑体字、居中宋体，5号，对齐居中
专 业： 学
号：学指导教师：

摘要
宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材正文用小4号宋体字 料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取生姓名：

最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：
1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。
…………
本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。
关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱
关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔 I
英文摘要：独占一页；论文题目用Times Abstract 字体，五号，居中页眉：外文Times New RomanNew Roman字体小2号加粗、居中
Study on MOCVD growth and properties of III-Ⅴ
nitrides and high brightness blue LED wafers Abstract GaN based Ⅲ- nitrides have potential applications on high brightness " ABSTRACT"用Times New Roman字体3Ⅴ号加粗、居中LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor. More than ten companies in America and Japan reported to have developed 正文用Times New Roman字体小4号 the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994. In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as: 1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χmin of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1μA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer
technology. …………
This work was supported by 863 program in China. Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption
关键词用Times New Roman小4号加粗、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔
II
目录
页眉：中文宋体，小五号，居中
目录
摘要 ···························································································· Ⅰ
"目录"·用小2号黑体字、居中Abstract ······················································································ Ⅱ

第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） ················ 1
1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 ···································· 1 1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 ················································ 4 1. 3 掺杂和杂质特性 ·································································· 12 1. 4 氮化物材料的制备 ······························································· 13 1. 5 氮化物器件 ········································································ 19 1. 6 GaN基材料与其它材料的比较 ················································ 22 1. 7 本论文工作的内容与安排 ······················································ 24 目录内容最少列出第一级标题（章）和第二级标题（节）；前者用第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 ······································ 31 4号黑体字，后者用4号宋体字，第三级标题用4号楷体字，居 2. 1 MOCVD材料生长机理 ··························································· 31 左顶格、单独占行，每一级标题后应标明起始页码 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 ····································· 32 …………
结论 ··························································································· 136 参考文献（References） ································································· 138 致谢 ··························································································· 150
III
页眉：奇数页书写“华东交通大学毕业设计（论文）”，用宋体小五
华东交通大学毕业设计（论文）
第一章 GaN基半导体材料及器件进展

节标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居左
1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用
在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就章标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居中
息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符。
正文文字：中文宋体，英文Times New Roman，小四，明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 …………
1．2 III族氮化物的基本结构和性质
…………


表标题置于表的上方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号。
表1-1
用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、c和T0的值
带隙温样品实验类型
方法
度系数 dEg/dT(eV/K T=300- 1 -
Eg0(eV c
K T0 (eV/(K 参考文献

页眉：奇数页书写“华东交通大学毕业设计（论文）”，用宋体小五
华东交通大学毕业设计（论文）
K 光致-5.3213.505.08-99Al2O3 发光 0-4 3 10-4 6 GaN/GaN/GaN/GaN/光致Al2O3 发光 Al2O3 发光 Al2O3 收

…………

461 59 62 63
3.487.32700 9
10-4 -7.2600 10-4 10-4
光致-4.010-


光吸-4.510-~3.4-9.3772 471 - 2 -
张三：III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究


…………

偶数页书写“学生姓名：毕业（论文）论文的题目”，用宋体小五号书写，居中

加热电阻
―――□―――■■―――□――→气流
测温元件 测温元件

图1-1 热风速计原理

…………
图标题置于图的下方，中文宋体，英文Times

- 3 - New Roman ，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号。

张三：III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究
偶数页书写“学生姓名：毕业（论文）论文的题目”，用宋体小五号书写，居中

- 4 -
华东交通大学毕业设计（论文）
第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺

2.1 MOCVD材料生长机理
…………



转换控制








频频率信 号 源
率制
器


地址发生 器
波形存储 器
Ｄ／Ａ转换器
滤波器
控

- 31 -
华东交通大学毕业设计（论文）
频率设置
波形数据设置

图2-1 DDS方式AWG的工作流程


…………
- 32 -
张三：III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究 标题：中文宋体，4号，居中；英文Times New Roman，4号，居中。
参考文献
[1] Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02 [2] Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2：578-583．
[3] 万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮号电出版社，1990．302-307．
[4] Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．1991-08-06． [5] Candy J C．A use of double-integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE Trans Commun，1985，33(COM：249-258．
[6] 丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．
参考文献正文用5号宋体字，英文Times New Roman，5

常见参考文献格式：
①科技书籍和专著：编著者．译者．书名[M]（文集用[C]）．版本．出版地：出版者，出版年．页码．
②科技论文：作者．篇名[J]．刊名，出版年，卷号（期号）：页码． 作者．篇名．ⅹⅹ单位博（硕）论文，年．

参考文献必须标明文献类型标志：普通图书 M；会议录 C；汇编 G；报纸 N；期刊 J；学位论文 D；报告 R；标准 S；专利 P；数据库 DB；计算机程序 CP；电子公告 EB。电子文献载体类型标志：磁带 MT；磁盘 DK；光盘 CD；联机网络 OL。
- 138 -
张三：III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究
致谢
标题：宋体，4号，居中。 内容：宋体，5号，两边对齐。

…………



146

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/41534fa433b765ce0508763231126edb6e1a764e.html

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