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价层电子对互斥理论中两个问题的讨论
价层电子对互斥理论中两个问题的讨论
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价层电子对互斥理论中两个问题的讨论
张晨曦
王雪峰
*
【摘
要】
摘要
针对大学化学课程中价层电子对互斥
(VSEPR
理论教学过程中存
在的问题,介绍和讨论
VSEPR
理论对于含有多重键分子构型的应用和
AL5
分
子构型的特殊性质,并在此基础上提出了相应的教学建议。
【期刊名称】
大学化学
【年
(
卷
,
期】
2012(027006
【总页数】
4
【关键词】
关键词
大学化学
价层电子对互斥理论
弯键理论
AL5
分子
VB
理论
师生笔谈
价层电子对互斥
(VSEPR
理论认为分子构型取决于价层电子对的构型,并且由
于
Pauli
不相容原理价层电子对在空间应该尽量远离
[1-3]
。由于不依附于复杂
的量子化学计算以及轨道模型,仅通过简单的
Lewis
电子式对分子构型进行判
断
,VSEPR
理论在教学中获得了广泛应用。
然而,在
VSEPR
理论的教学过程中,笔者发现许多教材对于多重键方面的论述
存在误区
[4-15]
,即许多教材使用
σ
-
π
成键理论解释
VSEPR
理论在含有多重
键分子构型方面的结论,而这些结论却是基于
Pauli
的弯键理论建立的。因此,
本文着重通过对
C2H4
分子的讨论,阐述
VSEPR
理论讨论含有多重键分子构
型的理论基础;另外,介绍了含有
5
个电子对的
AL5
分子的特殊性质,并提出
运用该构型分子判断电子对相互排斥作用的大小。
1VSEPR
理论有关多重键的讨论
在现今教材中讨论中心原子与配体之间通过多重键
(
即双键和三键
结合时,均
本文来源:
https://www.2haoxitong.net/k/doc/092273ba69d97f192279168884868762caaebb9c.html
《价层电子对互斥理论中两个问题的讨论.doc》
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