价层电子对互斥理论中两个问题的讨论

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价层电子对互斥理论中两个问题的讨论
张晨曦王雪峰*

【摘要】摘要针对大学化学课程中价层电子对互斥(VSEPR理论教学过程中存在的问题,介绍和讨论VSEPR理论对于含有多重键分子构型的应用和AL5子构型的特殊性质,并在此基础上提出了相应的教学建议。【期刊名称】大学化学【年(,期】2012(027006【总页数】4
【关键词】关键词大学化学价层电子对互斥理论弯键理论AL5分子VB理论师生笔谈
价层电子对互斥(VSEPR理论认为分子构型取决于价层电子对的构型,并且由Pauli不相容原理价层电子对在空间应该尽量远离[1-3]。由于不依附于复杂的量子化学计算以及轨道模型,仅通过简单的Lewis电子式对分子构型进行判,VSEPR理论在教学中获得了广泛应用。
然而,在VSEPR理论的教学过程中,笔者发现许多教材对于多重键方面的论述存在误区[4-15],即许多教材使用σ-π成键理论解释VSEPR理论在含有多重键分子构型方面的结论,而这些结论却是基于Pauli的弯键理论建立的。因此,本文着重通过对C2H4分子的讨论,阐述VSEPR理论讨论含有多重键分子构型的理论基础;另外,介绍了含有5个电子对的AL5分子的特殊性质,并提出运用该构型分子判断电子对相互排斥作用的大小。
1VSEPR理论有关多重键的讨论
在现今教材中讨论中心原子与配体之间通过多重键(即双键和三键结合时,均


本文来源:https://www.2haoxitong.net/k/doc/092273ba69d97f192279168884868762caaebb9c.html

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