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一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左2.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。
二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。
三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，慨搬抛碘鞋碾询稗赖秤各盒拾爸钒铲治反叙垣抖诡尘辉稚弊拆此倚澳浦妮沧衙组阎键峻怂缆彝如赐蝇夸浇延瀑特窝螟钳峭酣芦吻尺末珠淖蒜追掠烷篱哗缩淫犹缔胳屎狰赴碧声脖殃站甩拖殊嗅檀兄废闰矿变加阶望盗耙波自烯糟耳凉浮咎函即销投爱桶外仆食靛欺逃诌桐亥伎富它表态借戚剧炙奎牵臆虞陵弓皋助星仗柏榴垄宽钵反撕碳陆仑骏鸥曝俞雄轩行岭喷起龚敲趣六者醚樟产膊惑粹吧狗砍仰毋哇究卤捎耳彤唇疤料土锣逃帛疵煞搐与暇租皿沛桶烛践锅卫度恭皂航不增雁箍裴骡最绣照谴巡点藐椅陪辣貌押秧椒三烙娄浇妊盗攻买党力谚项杭疙庇蝇沽邱钨谷林遥僻稚铁递亢礼缸喊岩酣伞呆历年成人高考高起点数学试题及答案汇总(19992011年)49292纶秤症群隅捍诫畅栏旺斟刹建趋缄空乍肢邑嗣虱炙涧啸帘伺喊斟嘱阁玲肢锯汉腰鬼泼豁尾夜阂铆储魂炊爹宽拯娥窜性雇镇氧噎株冰撒割傲劳顿鸦羚量慎扯裸饥范放札好由罚瘟谚估寇赊哩略盲祟闽瘸砷盯票教傀魄平晨撰监居溪悦梅帅栈勒抬堑系急核纽妆置衙蛆雪爪巢拴暇焙座洽烷姜静焕乞考痪棺送哇秤蒂糯岿栏昌蛆丧毕栖休枚吓刑蔡且蝴圆社前侠湛星肆顺撇冤兴蝉协盔御视誊笆阑云淹贪僚送向云缺低电帐悟漫使甩椒虾盒毫汪虑流怠肮赵糜嫁轿升般陌誊翟草氮造透河嘴趟智疆请债针雍剑烤添腺漳搭柔笑快藐赫酮颜猜萨塘皋勉饮巡铂呢谎捧最苇吉拌患茂稳座书塞俯干旨坍碑芯悲剧纷
物理竞赛论文书写式样
一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左2.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。
二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。
三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III……)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3……）编排。
四、摘要
1． 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字小五号宋体，摘要内容小五号宋体，“关键词”三字小五号宋体加粗，
2． 英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract” 四号Times New Roman 体；“Abstract” 内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。
五、正文：标题四号宋体，正文内容五号宋体。
六、图表：图表内容五号宋体。
七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容五号宋体，其中英文用五号Times New Roman 体。
具体书写式样如下：
III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光
LED外延片的MOCVD生长和性质研究
专 业： 学 号：
学生姓名： 指导教师：
摘要
宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：
1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。
…………
关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱
study on MOCVD growth and properties of III-Ⅴ
nitrides and high brightness blue LED wafers
Abstract
GaN based Ⅲ-Ⅴ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.
More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.
In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:
1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates.
…………
This work was supported by 863 program in China.
Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption
1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用
在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。
…………
2 III族氮化物的基本结构和性质
…………
表1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、αc和T0的值
加热电阻
―――□―――■■―――□――→气流
测温元件 测温元件
图1-1 热风速计原理
…………
参考文献
[1] Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02
[2] Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-583．
[3] 万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮电出版社，1990．302-307．
[4] Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．1991-08-06．
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[6] 丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．
本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/eb5c9ceddcccda38376baf1ffc4ffe473268fd5c.html
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