MOS管保持电路

发布时间：2021-01-14 22:37:35 来源：文档文库

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

	（12）实用新型专利
		（10）申请公布号 CN207801893U（43）申请公布日 2018.08.31

（21）申请号 CN201820311858.3

（22）申请日 2018.03.07

（71）申请人哈尔滨理工大学

地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

（72）发明人刘倩;李彩霞;郑国旭

（74）专利代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所

代理人岳昕

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

MOS管保持电路

（57）摘要

MOS管保持电路，涉及电路保持领域。本实用新型是为了解决现有的MOS保持电路结构单一并且复杂的问题。当A提供一个置低的触发信号时，此时双时基集成芯片NE556置位，双时基集成芯片NE556的5号引脚输出高电平，从三极管VD1集电极流出的电流通过二极管D2给电容C4充电，同时MOS管Q1导通，此时，中间继电器K1线圈吸合，中间继电器K1常闭触点K1‑1断开，直到双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压充至2/3电源电压时，双时基集成芯片NE556自动复位，后续电路不工作，电容C4放电维持MOS管Q1导通，直到电容C4放电结束，中间继电器K1线圈释放，中间继电器K1常闭触点K1‑1闭合，此时通过闭合的中间继电器K1常闭触点K1‑1将双时基集成芯片NE556的1脚和2脚上的电压释放掉，为下一次给双时基集成芯片NE556的6号引脚提供置低的触发信号做准备。它用于保持MOS管Q1导通。

法律状态