通过霍尔效应测量磁场(12)

发布时间:2020-03-19 20:28:33   来源:文档文库   
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实 验 报 告

评分:___5__

信息学院 07级 姓名:李钺 日期:2008/10/24 No. PB07210399

实验名称: 通过霍尔效应测量磁场

实验目的: 了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识;学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量式样的Vh~Is和Vh~Im;确定式样的导电类型,载流子浓度以及迁移率。

实验仪器: QS-H霍尔效应组合仪,小磁针,测试仪

实验原理:

1. 通过霍尔效应测量磁场霍尔效应装置如图所示——

将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B沿z轴方向),当沿y方向的电极AA上施加电流I时,薄片内定向移动的载流子受到洛伦兹力FB的作用,(u为平均速率)FB的方向沿着x方向,在力的作用下,载流子发生偏移,产生电荷积累,从而形成一个电场Eb为薄片宽度)达到稳定状态时,即:(*),这时在BB两侧建立的电场称为霍尔电场,相应的电压称为霍尔电压,电极BB称为霍尔电极。

另一方面,设载流子浓度为n薄片厚度为d则电流强度Iu的关系为:代入(*)式得:,令RH称为霍尔系数,体现了材料的霍尔效应大小。在应用中,常以如下形式出现:称为霍尔元件灵敏度,I为控制电流

利用霍尔效应测量磁场的原理:IKH已知,测出霍尔电压VBB’,即可算出磁场B的大小;并且若知载流子类型则由VBB’的正负,即可定出磁场方向,反之,若已知磁场方向,则可判断载流子类型。

霍尔效应实验中的副效应在实际应用中,伴随霍尔效应经常存在其他效应。①载流子向霍尔电场作用力洛伦兹力方向偏转,形成横向温差的现象称为爱延豪森效应,采用交流电,可以减小测量误差;②为消除不等位电动势以及其他不对称因素的影响引起的误差,常常改变励磁电流和工作电流的方向

2. 求材料的电导率和载流子浓度及迁移率:材料的霍尔系数为,材料厚度d(cm),磁场B(GS),电位差(V),电流I(A),电荷量(C);载流子浓度为:,e为载流子电荷量,nBB'间的电阻为,材料的电导率为(S/m);载流子迁移率:在单位电场作用下,载流子沿电场方向的平均速度,由,有)。

3. 电磁铁的磁场:电磁铁气隙中的磁场可以根据磁路定理加以计算,,N:线圈匝数,I0:电流强度,l1:电磁铁平均周长,l2:气隙长度,S1电磁铁截面积,S2:气隙截面积,u:磁铁介质的相对磁导率,又由

实验步骤:

1. 按图连接线路,打开电源,预热数分钟;

2. 开机前把IsIm调节器逆时针调到底;

3. 分别测量由下列四组不同方向的Is和B组合的AA'电势差,即

4. 保持不变,0.5,1.0……4.5mA0.5mA为间隔),测-曲线,计算

5. 保持不变,0. 05,0.10……0.45A0.05A为间隔测绘-曲线,计算

6. 在零磁场下,IS=0.1mA,测Vac(V),注意IS0.1mA

7. 确定样品的导电类型,并求,n,σ和μ(σ=neH);

8. 实验结束关机前,同样把Is,Im调节器逆时针调到底。

数据处理:已知,6600GS/A

1.

ISmA

V1

-V2

V3

-V4

0.5

1.49

1.62

1.61

1.49

1.552

1.0

2.96

3.22

3.22

2.97

3.092

1.5

4.48

4.86

4.86

4.47

4.668

2.0

5.96

6.47

6.47

5.96

6.215

2.5

7.46

8.10

8.09

7.46

7.778

3.0

8.97

9.72

9.73

8.96

9.345

3.5

10.44

11.32

11.33

10.43

10.880

4.0

11.95

12.96

12.97

11.94

12.455

4.5

13.44

14.58

14.59

13.43

14.010

作x轴,以作y轴,对数据作线性拟合:

设线性方程为:y=mx+b,m为直线斜率,b为y轴上截距。由公式:

其中

求得斜率,截距

检验线性拟合:

正相关很强x和y的线性关系非常好。

计算标准差:由,得:

标准差

又由

的标准差

由最小二乘法得出

作图如下:

2.

ImA

V1

-V2

V3

-V4

0.05

0.92

2.05

2.04

0.94

1.488

0.10

2.45

3.60

3.59

2.46

3.025

0.15

4.02

5.13

5.14

4.03

4.580

0.20

5.57

6.73

6.73

5.57

6.150

0.25

7.14

8.28

8.28

7.15

7.712

0.30

8.71

9.88

9.88

8.71

9.295

0.35

10.30

11.43

11.43

10.30

10.865

0.40

11.86

13.01

13.02

11.85

12.435

0.45

13.44

14.56

14.57

13.43

14.000

作x轴,以作y轴,对数据作线性拟合:

设线性方程为:y=mx+b,m为直线斜率,b为y轴上截距。由公式:

其中

求得斜率,截距

检验线性拟合:

正相关很强,x和y的线性关系非常好。

计算标准差:由,得:

标准差

又由

的标准差

由最小二乘法得出

作图如下:

3. 时,正向和反向情况下,测量

正向

反向

/mV

6.64

-6.64

载流子浓度

材料的电导率

载流子迁移率

4. 确定样品的导电类型控制电流和磁场方向如图所示:

电压表读数为正可知薄片S的上表面积累正电荷下表面积累负电荷根据洛沦兹力的受力规则判断载流子受力向下再由下表面积累负电荷知载流子为负电荷所以导电类型为n型

误差分析:主要是实验中的副效应产生的误差,包括爱延豪森效应,不等位电动势以及其他不对称因素,本实验除去仪器造成的系统误差,几乎没有人为因素造成误差,所以比较精确。

思考题: 若磁场不恰好与霍尔元件片法线一致,对测量结果有何影响,如何用实验方法判断B与元件法线是否一致?

若不一致则入公式,使得测得的R偏大;×,由于计算使用的B大于实际值,因此算得的Rh偏小.

判断方法是看当电流正负反向时,绝对值是否大致相等,如果在不同I值下均有||>||,或||<||,则考虑B与元件法线不一致。

×,无论电流方向正负,B的有效值一样.

本文来源:https://www.2haoxitong.net/k/doc/95a4e4776beae009581b6bd97f1922791688be88.html

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