半导体物理学期末复习试题及答案一（word文档良心出品）

发布时间：2020-01-04 18:15:30 来源：文档文库

小中大

字号：

手机查看

一、选择题

1. 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。

A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同

2. 受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。

A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子

3. 对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。

A. 上移 B. 下移 C. 不变

4. 在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关

A. 杂质浓度和温度 B. 温度和禁带宽度

C. 杂质浓度和禁带宽度 D. 杂质类型和温度

5. MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。

A. 相同 B. 不同 C. 无关

6. 空穴是( B )。

A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子

C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子

7. 砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。

A. 直接 B. 间接

8. 将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ A ）杂质作用，若Si取代As则起（ B ）杂质作用。

A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心

9. 在热力学温度零度时，能量比8d3f055dfd9d778bccca680eb619f159.png小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比8d3f055dfd9d778bccca680eb619f159.png小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。

A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0

10. 如图所示的P型半导体MIS结构

的C-V特性图中，AB段代表

（ A ），CD段代表（B ）。

A. 多子积累 B. 多子耗尽

C. 少子反型 D. 平带状态

11. P型半导体发生强反型的条件（ B ）。

A. 87c4f788bff18a58ad4e6511e98e34b8.png B. 98b30939093e1ac85ba82ba374da6568.png

C. ce0488fd563d40297ce6b4e4060932a0.png D. c9fa3666b94514b024fc091886cff3e8.png

12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。

A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触

B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触

D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

13. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止26a0ec4f71249999f4520f3d84305679.png后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（ A ）。

A. 1/e B. 1/2 C. 0 D. 2/e

14. 载流子的漂移运动是由（ A ）引起的，反映扩散运动强弱的物理量是（ B ）。

A. 电场 B. 浓度差 C. 热运动 D. a1155692e3f69913320174f980c7eaf1.png E. 87a1c94a79093a85567cc42f65f72d57.png F.a788b57bb5319497a4de11f3392dcbc3.png

15. 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（ B ）。

A. 声学波散射和光学波散射 B. 声学波散射和电离杂质散射

C. 光学波散射和电离杂质散射 D. 光学波散射

二、证明题

对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFn>Ei。

三、计算画图题

1. 三块半导体Si室温下电子浓度分布为，b19b6968f5cc4a72304d90b43745132f.png,（NC=3*1019cm-3，NV=1*1019cm-3，ni=1010cm-3，ln3000＝8,

ln1000＝6.9）则

（1）、计算三块半导体的空穴浓度

（2）、画出三块半导体的能带图

（3）、计算出三块半导体的费米能级相对与3391b10b5ebe7c08c39d48d9cd52eb1f.png的位置

（要求n型半导体求EC－EF，p型半导体求EF－Ev）（15分）

2. 室温下，本征锗的电阻率为47word/media/image14_1.png，试求本征载流子浓度。

若锗原子的浓度为word/media/image15_1.png，掺入施主杂质，使每word/media/image16_1.png个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部电离)。试求该掺杂锗材料的电阻率。设b15aeb1a56e1b3a3b1afede5be57b7a4.png，cb17edead733cbd7743944da226ebc0e.png 且认为不随掺杂而变化。

若流过样品的电流密度为word/media/image19_1.png，求所加的电场强度。

3. 画出金属和N型半导体接触能带图（2a3ed8420878ef174d1172bfb91e81ba.png，且忽略间隙），并分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。

4. 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图，画出对应的电荷分布图。（6分）

word/media/image21.gif

5. 光均匀照射在电阻率为6word/media/image22_1.png的n型Si样品上，电子－空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8µs。试计算光照前后样品的电导率。（b15aeb1a56e1b3a3b1afede5be57b7a4.png，cb17edead733cbd7743944da226ebc0e.png）