电子技术基础习题答案
发布时间：2023-05-24 22:45:31 来源：文档文库
小
中
大
字号：
选择题每小题1单极型半导体器件是（C）。、A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。2P型半导体是在本征半导体中加入微量的A）元素构成的。、A、三价；B、四价；C、五价;、六价。3稳压二极管的正常工作状态是（C）、。A、导通状态；B、截止状态;C、反向击穿状态；D、任意状态。4用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KQ,说明该二极管（、A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。A多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=,VB=,V；=，说明此三极管处在（A、放大区；B、饱和区；C、截止区;D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。A较大；B、较小；C、为零;、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。A、矩形方波；B、等腰三角波;C、正弦半波；D、仍为正弦波。9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏;、发射结反偏、集电结反偏;C发射结正偏、集电结反偏;、发射结反偏、集电结正偏。三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。A、直流成分；B
