名词解释

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名词解释
弗伦克尔缺陷:在晶格热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置后,挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位。这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。
肖特基缺陷:如果正常格点上的原子,热起伏过程中活的能量离开平衡位置迁移到晶体的表面,在晶体内正常格点上留下空位,这即是肖特基缺陷。
刃型位错:伯格斯矢量b与位错线垂直的位错称为刃型位错。螺形位错:位错线和滑移方向(伯格斯矢量b)平行,由于位错线垂直的平行面不是水平的,而是像螺旋形的,故称螺旋位错。
类质同晶:物质结晶时,其晶体结构中原有离子或原子的配位位置被介质中部分类质类似的它种离子或原子占存,共同结晶成均匀的,一的混合晶体,但不引起键性。
同质多晶:化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下结晶或结构不同的晶体。
正尖晶石:二价阳离子分布在1/8四面体空隙中,三价阳离子分布在1/2八面体空隙的尖晶石。

反尖晶石:如果二价阳离子分布在八面体空隙中,而三价阳离子一半在四面体空隙中,另一半在八面体空隙中的尖晶石。
晶子学说:硅酸盐玻璃是由无数“晶子”组成,“晶子”的化学性质取决于玻璃的化学组成。所谓“晶子”不同于一般微晶,而是带有晶格变形的有序区域,在“晶子”中心质点排列较有规律,愈远离中心则变形程度愈大。“晶子”分散在无定形部分的过渡是逐步完成的,两者之间无明显界线。晶子学说的核心是结构的不均匀性及进程有序性。
无规则网络学说:凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样,是由一个三度空间网络所构成。这种网络是由离子多面体(三角体或四面体)构筑起来的。晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成,而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。分化过程:架状[SiO4]断裂称为熔融石英的分化过程。
缩聚过程:分化过程产生的低聚化合物相互发生作用,形成级次较高的聚合物,次过程为缩聚过程。
网络形成剂:正离子是网络形成离子,单键强度大于335kJ/mol,能
单独形成玻璃的氧化物。
网络变性剂:正离子是网络变性离子,单键强度小于250KJ/mol,不
能单独形成玻璃,但能改变玻璃网络结构和性质的氧化物。

单键强度:化合物的分解能除以化合物的配位数得出的商数即为单键强度。
表面:固体的表面现象与液体相似,通常把一个相与它本身蒸汽接触的分界面称为表面。
界面:相邻晶粒不仅位向不同,而且结构、组成也不相同,即它们代表不同的两个相,则其间界称为界面。
非稳定扩散:扩散物质浓度分布随时间变化的一类扩散。稳定扩散:扩散物质浓度分布不随时间变化的扩散过程。
无序扩散:无化学位梯度、浓度梯度。无外场推动力,由热起伏引起的扩散。质点的扩散是无序的、随机的。
互扩散推动力:多元系统中几种离子同时进行扩散,扩散过程中化学位梯度的变化。
间隙扩散:质点从一个间隙到另一个间隙。
本征扩散:主要出现肖特基和弗兰克尔点缺陷,由此点缺陷引起的扩散称为本征扩散。
非本征扩散:因扩散受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制,故称为非本征扩散。

菲克第一定律:在扩散体系中,参与扩散质点的浓度因位置而异,可随时间而变化。
正扩散:受热力学因子作用,物质由高浓度处流向低浓度处,扩散结果使溶质趋于均匀化,D>0
逆扩散:受热力学因子作用,物质由低浓度处流向高浓度处,扩散结果使溶质趋于均匀化,D<0
矿化剂:在固相反应中加入少量非反应物,反应过程中不与反应物起化学反应,只起加速反应作用的物质。
一级相变:体系由一相变为另一相时,如两相的化学势相等但化学势的一级偏微商不相等的称为一级相变。
二级相变:相变时两相化学势相等,其一级偏微商也相等,但二级偏微商不等。
玻璃析晶:指由于玻璃的内能较同组成的晶体为高,所以玻璃处于介稳状态。在一定条件下存在着自发地析出晶体的倾向,这种出现晶体的现象叫做析晶。又称失透或反玻璃化。
玻璃分相:一个均匀的玻璃相在一定的温度和组成范围内有可能分成两个互不溶解或部分溶解的玻璃相,并相互共存的现象称为玻璃分相。均匀成核:晶核从均匀的单相熔体中产生的几率处处相同。

非均匀成核:借助于表面、界面、微粒裂纹、器壁以及各种催化位置等而形成晶核的过程。
马氏体相变:一个晶体在外加应力的作用下通过晶体的一个分立方体积的剪切作用以极迅速的速率而进行相变称为马氏体相变。
烧结:由于固态中分子的相互吸引,通过加热,使粉末体产生颗粒粘结,经过物质迁移使粉末体产生强度并导致致密化和再结晶的过程称为烧结。
烧成:把一定温度范围内烧制成为致密体的一系列物理、化学、变化过程,人们把完成这样一个烧结过程的工艺称之为烧成。
体积密度:材料在包含实体积、开口和密闭孔隙的状态下单位体积的质量称为材料的体积密度。
理论密度:多孔材料中固相的密度,即同种材料在无孔状态下的密度。相对密度:多孔体的密度与无孔状态下同成分材料的密度之比,通常以百分率表示。
固态烧结:没有液相参与,完全是由固体颗粒直接的高温烧结过程。液态烧结:有液相参与的烧结。
晶粒生长:无应变的材料在热处理时,平衡晶粒尺寸在不改变其分布的情况下连续增大的过程。

二次再结晶:少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程。


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