硅光电池特性测试实验

实验系列四、硅光电池特性测试实验

光通路组件

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图2 硅光电池光通路组件

功能说明：

分光镜：50%透过50%反射镜，将平行光一半给照度计探头，一半给等测光器件，实验测试方便简单，照度计可实时检测出等测器件所接收的光照度。

一、实验目的

1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性

3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用

二、实验内容

1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验

3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验

5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验

7、硅光电池光谱特性测试实验

三、实验仪器

1、硅光电池综合实验仪 1个

2、光通路组件 1只

3、光照度计 1台

4、2#迭插头对（红色，50cm） 10根

5、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根

6、三相电源线 1根

7、实验指导书 1本

8、20M 示波器 1台

四、实验原理

1、硅光电池的基本结构

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2、硅光电池的工作原理

硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能，因此，可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。

word/media/image3.gif当半导体PN结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过PN结两端的电流可由式1确定

word/media/image4.gif式（1）中Is为饱和电流，V为PN结两端电压，T为绝对温度，Ip为产生的光电流。从式中可以看到，当光电池处于零偏时，V=0，流过PN结的电流I=Ip；当光电池处于反偏时（在本实验中取V=-5V），流过PN结的电流I=Ip-Is，因此，当光电池用作光电转换器时，光电池必须处于零偏或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi有以下关系：

3、硅光电池的基本特性

(1) 短路电流

不同的光照的作用下， 毫安表如显示不同的电流值。即为硅光电池的短路电流特性。

word/media/image5.gif (2)开路电压

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不同的光照的作用下， 电压表如显示不同的电压值。即为硅光电池的开路电压特性。

(3) 光照特性

光电池在不同光照度下， 其光电流和光生电动势是不同的，

(4)伏安特性

在硅光电池输入光强度不变时，测量当负载一定的范围内变化时，光电池的输出电压及电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。

(5)负载特性(输出特性)

在内电场作用下，入射光子由于内光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带，而产生光伏电压，在光电池两端加一个负载就会有电流流过，当负载很小时，电流较小而电压较大；当负载很大时，电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻RL的值来测定硅光电池的负载特性。

(5) 光谱特性

一般光电池的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下，光电池所产生短路电流与入射光波长之间的关系。一般用相对响应表示，实验中硅光电池的响应范围为400~1100nm，峰值波长为800~900nm，由于实验仪器所提供的波长范围为400~650nm，因此，实验所测出的光谱响应曲线呈上升趋势

五、实验步骤

1、硅光电池短路电流特性测试

实验装置原理框图如图2-11所示。

图2-11 硅光电池短路电流特性测试

（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。

（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。

（3）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。

（4）按图2-11所示的电路连接电路图

（5）打开电源顺时针调节照度调节旋钮，使照度值依次为下表中

的光照度值，分别读出电流表读数，填入下表，关闭电源。

（6）上表中所测得的电流值即为硅光电池相应光照度下的短路电流。

（7）实验完毕，关闭电源，拆除所有连线。

2、硅光电池开路电压特性测试

实验装置原理框图如图2-12所示。

图2-12 硅光电池开路电压特性测试

（1）~（5）同上

（6）将“光照度调节”旋钮逆时针调节到最小值位置后关闭电源。

（7）上表中所测得的电压值即为硅光电池相应光照度下的开路电压。

（8）实验完毕，关闭电源，拆除所有连线。

3、硅光电池光照特性

（1）根据实验1和2所调试的实验数据，作出如图2-5所示的硅光电池的光照电流电压特性曲线。word/media/image9.gifword/media/image10.gif

（2）改变不同光照度的取值，重复实验1和实验2，并作出相应硅光电池的光照电流电压特性曲线。

word/media/image11.gifword/media/image12.gif

4、硅光电池伏安特性

（1）~（3）同上

（4）电压表档位调节至2V档，电流表档位调至200uA档，将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

（5）按图2-13所示的电路连接电路图，R取值为200欧，打开电源顺时针调节照度调节旋钮，增大光照度值至500lx。记录下此时的电压表和电流表的读数填入下表；

（6）关闭电源，将R分别换为下表中的电阻值，重复上述步骤，分别记录电流表和电压表的读数，填入下表。

（7）改变光照度为100Lx、300Lx，重复上述步骤，将实验结果填入下表。

100 lx：

300 lx：

（8）根据上述实验数据，在同一坐标轴中作出三种不同条件下的伏安特性曲线，并进行分析。word/media/image13.gifword/media/image14.gifword/media/image15.gif

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/bb7f3923fbd6195f312b3169a45177232f60e499.html