主流存储技术从磁性随机存储器到磁性逻辑单元磁性随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器技术，正在作为一种主流的数据存储技术被业界所广泛接受。它集成了一个磁阻器件和一个硅基选择矩阵。MRAM的关键属性有非易失性、低电压工作、无限次读写的耐用性、快速读写操作，并且作为后端技术而容易集成。这些特性使得MRAM 有可能替代各种应用中的许多类型存储器。 在最简单的实现中，一个MRAM单元由连接着一个选择晶体管的磁性隧道结(MTJ)组成。磁性隧道结有两个磁层组成，中间用一个很薄的氧化隧道势垒隔开。其中一个磁层有固定的磁方向，被称为参考层(FR)，另一个称为存储层(SL)，它可以从一个方向切换到另一个方向。存储比特的阻抗是低是高取决于存储层相对于固定参考层的磁方向，即平行或反平行。要读取一个比特时，选择晶体管导通，有个小的读取电流流经隧道结，如图1所示。然后将结点阻抗的值与位于高低阻抗值之间一半的参考阻抗进行比较。 图1：(a)第一代MRAM中使用的传统架构在正交写入线的交叉点和选择晶体管顶部包含MTJ单元。(b)最小磁滞回线的原理图显示存储层的反转和两个对应的阻值：高“1”和低“0”。传统MRAM架构中使用的读取(c)和写入机制(d)。在读取时，选择晶体管处于导通状态，有个小的电流流经MTJ堆栈，允许其阻抗的测量。在写入时，选择晶体管处于断开状态，2个正交磁场的组合确保了选择性。 图2：传统MRAM架构(a)和TAS-MRAM架构(b)中的写入过程。在TAS-MRAbM写入方法(c)中，存储单元的写入只有在克服反铁磁性物质的阻塞温
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