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复旦大学集成电路工艺原理作业08

发布时间：2023-02-02 11:08:43 来源：文档文库

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作业9：热扩散21.对于硅中的低浓度磷再分布扩散（扩散温度为1000oC），当温度与时间分别发生1％的变化时，所对应的表面浓度变化的百分比？2.对掺有1015cm-3的硼杂质的硅片进行砷扩散，扩散温度为1100oC，时间为3小时，如果表面浓度保持在41018cm-3，试计算砷的最终扩散分布、扩散长度和结深。3.如果将问题（2）中的砷扩散温度改为900oC，时间仍为3小时，同样的表面浓度，试计算砷的最终扩散分布和结深。（提示：900oC下硅的本征载流子浓度为21018cm-3，所以扩散方式为非本征扩散，扩散系数近似认为D＝Din/ni）

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/4cc0420f90c69ec3d5bb758d.html