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碳纳米管性能测量实现新突破

发布时间：2020-11-23 来源：文档文库

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碳纳米管性能测量实现新突破
王丽英
【摘要】在硅芯片晶体管接近其物理性能极限的当今，碳纳米管被认为是未来替代硅芯片原料的最佳候选材料。但是，要将碳纳米晶体管应用于大型集成电路还有很长的路要走，其中，了解纳米管内电子密度的变化对制作更可靠的碳纳米晶体管是一个关键因素。近日，IBM的科学家宣布他们对碳纳米管内的电荷分布进行了测量，并发现其直径小于2nm。【期刊名称】《今日电子》【年(卷,期】2007(000011 【总页数】1页(P31
【关键词】碳纳米管;性能测量;纳米晶体管;性能极限;集成电路;电子密度;电荷分布;硅芯片
【作者】王丽英【作者单位】无【正文语种】中文【中图分类】工业技术
技木前沿碳纳米管性能测量实现新突破在硅芯片晶体管接近其物理性能极限的当今，碳纳米管被认为是未来替代硅芯片原料的最佳候选材料。但是，要将碳纳米晶体管应用于大型集成电路还有很长的路要走，其中，了解纳米管内电子密度的变化对制作更可靠的碳纳米晶体管是一个关键因素。近日， IBM 的
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本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/43b4ff8f4935eefdc8d376eeaeaad1f34793115e.html